CSD25202W15
Artikelnummer:
CSD25202W15
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14267 Pieces
Datenblatt:
CSD25202W15.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.05V @ 250µA
Vgs (Max):-6V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:9-DSBGA
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:26 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max):500mW (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:9-UFBGA, DSBGA
Andere Namen:296-39837-2
CSD25202W15-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD25202W15
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1010pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 4.5V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 20V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 9-DSBGA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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