CSD75301W1015
Artikelnummer:
CSD75301W1015
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19674 Pieces
Datenblatt:
CSD75301W1015.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:6-DSBGA (1x1.5)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 1A, 4.5V
Leistung - max:800mW
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:6-UFBGA, DSBGA
Andere Namen:296-24261-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:CSD75301W1015
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:195pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.1nC @ 4.5V
Typ FET:2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal:Logic Level Gate
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 800mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
Beschreibung:MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.2A
Email:[email protected]

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