CSD87355Q5DT
Artikelnummer:
CSD87355Q5DT
Hersteller:
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18154 Pieces
Datenblatt:
CSD87355Q5DT.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:1.9V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse:8-LSON (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:-
Leistung - max:2.8W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerLDFN
Betriebstemperatur:-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:20 Weeks
Hersteller-Teilenummer:CSD87355Q5DT
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1860pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13.7nC @ 4.5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal:Logic Level Gate, 5V Drive
Expanded Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 45A 2.8W Surface Mount 8-LSON (5x6)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:45A
Email:[email protected]

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