EPC2001C
EPC2001C
Artikelnummer:
EPC2001C
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15119 Pieces
Datenblatt:
EPC2001C.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 5mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die Outline (11-Solder Bar)
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 25A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1079-2
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:EPC2001C
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:9nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 100V 36A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:36A (Ta)
Email:[email protected]

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