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EPC2010C
EPC2010C
Artikelnummer:
EPC2010C
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17162 Pieces
Datenblatt:
EPC2010C.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die Outline (7-Solder Bar)
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 12A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1085-2
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Hersteller-Teilenummer:EPC2010C
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.3nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
Beschreibung:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:22A (Ta)
Email:[email protected]

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