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EPC2012
EPC2012
Artikelnummer:
EPC2012
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15514 Pieces
Datenblatt:
EPC2012.pdf
Anfrage

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1017-1
Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:EPC2012
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:145pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.8nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
Beschreibung:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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