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EPC2019
EPC2019
Artikelnummer:
EPC2019
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17089 Pieces
Datenblatt:
EPC2019.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:50 mOhm @ 7A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1087-2
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Hersteller-Teilenummer:EPC2019
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
Beschreibung:TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:8.5A (Ta)
Email:[email protected]

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