Kaufen EPC2021ENGR mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 14mA |
|---|---|
| Technologie: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse: | Die |
| Serie: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 29A, 5V |
| Verlustleistung (max): | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | Die |
| Andere Namen: | 917-EPC2021ENGRTR |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | EPC2021ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 80V |
| Beschreibung: | TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 60A (Ta) |
| Email: | [email protected] |