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EPC2021ENG
EPC2021ENG
Artikelnummer:
EPC2021ENG
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18937 Pieces
Datenblatt:
EPC2021ENG.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 14mA
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.5 mOhm @ 29A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-EPC2021ENG
EPC2021ENGRB3
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:EPC2021ENG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 80V 60A (Ta) Surface Mount Die
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
Beschreibung:TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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