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EPC2023ENG
EPC2023ENG
Artikelnummer:
EPC2023ENG
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16591 Pieces
Datenblatt:
EPC2023ENG.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 20mA
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.3 mOhm @ 40A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Tray
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-EPC2023ENG
EPC2023ENGRC2
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:EPC2023ENG
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2300pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 60A (Ta) Surface Mount Die
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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