Kaufen ESM2012DV mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 120V |
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VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.5V @ 1A, 100A |
Transistor-Typ: | NPN - Darlington |
Supplier Device-Gehäuse: | ISOTOP® |
Serie: | - |
Leistung - max: | 175W |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | ISOTOP |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | ESM2012DV |
Frequenz - Übergang: | - |
Expanded Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 120A 175W Chassis Mount ISOTOP® |
Beschreibung: | TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 1200 @ 100A, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 120A |
Email: | [email protected] |