FDP3205
Artikelnummer:
FDP3205
Hersteller:
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17454 Pieces
Datenblatt:
FDP3205.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 59A, 10V
Verlustleistung (max):150W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:FDP3205
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:7730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 55V 100A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss):55V
Beschreibung:MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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