Kaufen IXTP05N100M mit BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 25µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 25W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | IXTP05N100M |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 260pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.8nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 1000V (1kV) 700mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 700mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |