IXTP3N110
IXTP3N110
Artikelnummer:
IXTP3N110
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14482 Pieces
Datenblatt:
IXTP3N110.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max):150W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:IXTP3N110
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 1100V (1.1kV) 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vdss):1100V (1.1kV)
Beschreibung:MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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