MRF5812R2
Artikelnummer:
MRF5812R2
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
verfügbare Anzahl:
13821 Pieces
Datenblatt:
MRF5812R2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):18V
Transistor-Typ:NPN
Supplier Device-Gehäuse:8-SO
Serie:-
Leistung - max:1.25W
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f):2dB @ 500MHz
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:MRF5812R2
Gewinnen:15.5dB
Frequenz - Übergang:5GHz
Expanded Beschreibung:RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO
Beschreibung:RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:50 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max):200mA
Email:[email protected]

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