MS652S
Artikelnummer:
MS652S
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
TRANS RF BIPO 25W 2A M123
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19630 Pieces
Datenblatt:
MS652S.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):16V
Transistor-Typ:NPN
Supplier Device-Gehäuse:M123
Serie:-
Leistung - max:25W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:M123
Betriebstemperatur:200°C (TJ)
Rauschzahl (dB Typ @ f):-
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:MS652S
Gewinnen:10dB
Frequenz - Übergang:450MHz ~ 512MHz
Expanded Beschreibung:RF Transistor NPN 16V 2A 450MHz ~ 512MHz 25W Chassis Mount M123
Beschreibung:TRANS RF BIPO 25W 2A M123
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:10 @ 200mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max):2A
Email:[email protected]

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