NTMFS4926NET1G
NTMFS4926NET1G
Artikelnummer:
NTMFS4926NET1G
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17978 Pieces
Datenblatt:
NTMFS4926NET1G.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max):920mW (Ta), 21.6W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerTDFN, 5 Leads
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:NTMFS4926NET1G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1004pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17.3nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 30V 9A (Ta), 44A (Tc) 920mW (Ta), 21.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
Beschreibung:MOSFET N-CH 30V 44A SO8-FL
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9A (Ta), 44A (Tc)
Email:[email protected]

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