Kaufen PSMN5R2-60YLX mit BYCHPS
Kaufen mit Garantie
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.2 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 195W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-100, SOT-669 |
| Andere Namen: | 1727-2595-6 568-13046-6 568-13046-6-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | PSMN5R2-60YLX |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6319pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 39.4nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 100A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |