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QH8MA2TCR
- Artikelnummer:
- QH8MA2TCR
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 16382 Pieces
- Datenblatt:
- QH8MA2TCR.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für QH8MA2TCR, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für QH8MA2TCR per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Supplier Device-Gehäuse: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Leistung - max: | 1.25W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen: | QH8MA2TCRTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | QH8MA2TCR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 365pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.4nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| Beschreibung: | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.5A, 3A |
| Email: | [email protected] |
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