R6007KNJTL
Artikelnummer:
R6007KNJTL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13812 Pieces
Datenblatt:
R6007KNJTL.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-263
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:620 mOhm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (max):78W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:R6007KNJTLTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:17 Weeks
Hersteller-Teilenummer:R6007KNJTL
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:Schottky Diode (Isolated)
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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