R6015KNX
Artikelnummer:
R6015KNX
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
NCH 600V 15A POWER MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19973 Pieces
Datenblatt:
R6015KNX.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220FM
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:290 mOhm @ 6.5A, 10V
Verlustleistung (max):60W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:R6015KNXTR
R6015KNXTR-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Hersteller-Teilenummer:R6015KNX
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:27.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220FM
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:NCH 600V 15A POWER MOSFET
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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