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RDD022N60TL
- Artikelnummer:
- RDD022N60TL
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V CPT
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13688 Pieces
- Datenblatt:
- RDD022N60TL.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für RDD022N60TL, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für RDD022N60TL per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.7V @ 1mA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | CPT3 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.7 Ohm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 20W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | RDD022N60TL |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V CPT |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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