RFN10B3STL
RFN10B3STL
Artikelnummer:
RFN10B3STL
Hersteller:
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16155 Pieces
Datenblatt:
RFN10B3STL.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.5V @ 10A
Spannung - Sperr (Vr) (max):350V
Supplier Device-Gehäuse:CPD
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):30ns
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:RFN10B3STLTR
Betriebstemperatur - Anschluss:150°C (Max)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:RFN10B3STL
Expanded Beschreibung:Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
Diodentyp:Standard
Beschreibung:DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:10µA @ 350V
Strom - Richt (Io):10A
Kapazität @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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