S12M
Artikelnummer:
S12M
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19505 Pieces
Datenblatt:
1.S12M.pdf2.S12M.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.1V @ 12A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1000V (1kV)
Supplier Device-Gehäuse:DO-4
Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:DO-203AA, DO-4, Stud
Andere Namen:S12MGN
Betriebstemperatur - Anschluss:-65°C ~ 175°C
Befestigungsart:Chassis, Stud Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:S12M
Expanded Beschreibung:Diode Standard 1000V (1kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Diodentyp:Standard
Beschreibung:DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:10µA @ 50V
Strom - Richt (Io):12A
Kapazität @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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