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SCT3030ALGC11
- Artikelnummer:
- SCT3030ALGC11
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET NCH 650V 70A TO247N
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14622 Pieces
- Datenblatt:
- SCT3030ALGC11.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für SCT3030ALGC11, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SCT3030ALGC11 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.6V @ 13.3mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +22V, -4V |
| Technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247N |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 39 mOhm @ 27A, 18V |
| Verlustleistung (max): | 262W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Betriebstemperatur: | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | SCT3030ALGC11 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1526pF @ 500V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 104nC @ 18V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 70A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 18V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | MOSFET NCH 650V 70A TO247N |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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