STB36NM60N
STB36NM60N
Artikelnummer:
STB36NM60N
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14060 Pieces
Datenblatt:
STB36NM60N.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:D2PAK
Serie:MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:105 mOhm @ 14.5A, 10V
Verlustleistung (max):210W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen:497-12972-6
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STB36NM60N
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2722pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:83.6nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 29A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

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