STL100N8F7
STL100N8F7
Artikelnummer:
STL100N8F7
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19693 Pieces
Datenblatt:
1.STL100N8F7.pdf2.STL100N8F7.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerFlat™ (5x6)
Serie:STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.1 Ohm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max):4.8W (Ta), 120W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Andere Namen:497-16502-2
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STL100N8F7
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3435pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:46.8nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 80V 100A (Tc) 4.8W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
Beschreibung:MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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