STL10N60M2
STL10N60M2
Artikelnummer:
STL10N60M2
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15677 Pieces
Datenblatt:
STL10N60M2.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerFlat™ (5x6)
Serie:MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs:660 mOhm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max):48W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Andere Namen:497-14965-6
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STL10N60M2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:13.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 5.5A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

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