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STL11N65M2
- Artikelnummer:
- STL11N65M2
- Hersteller:
- ST
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13043 Pieces
- Datenblatt:
- STL11N65M2.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für STL11N65M2, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für STL11N65M2 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | - |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 670 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 85W (Tc) |
| Verpackung: | - |
| Verpackung / Gehäuse: | - |
| Andere Namen: | 497-15053-6 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer: | STL11N65M2 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 410pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.4nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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