STL17N65M5
STL17N65M5
Artikelnummer:
STL17N65M5
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
20583 Pieces
Datenblatt:
STL17N65M5.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerFlat™ (8x8) HV
Serie:MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:374 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 70W (Tc)
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:4-PowerFlat™ HV
Andere Namen:497-15145-6
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STL17N65M5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:816pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 650V 1.8A (Ta), 10A (Tc) 2.8W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
Beschreibung:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.8A (Ta), 10A (Tc)
Email:[email protected]

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