STL8N6F7
Artikelnummer:
STL8N6F7
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
13086 Pieces
Datenblatt:
STL8N6F7.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie:STripFET™ F7
Rds On (Max) @ Id, Vgs:25 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max):3W (Ta), 60W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-PowerVDFN
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STL8N6F7
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 60V 36A (Tc) 3W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:36A (Tc)
Email:[email protected]

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