STP10P6F6
STP10P6F6
Artikelnummer:
STP10P6F6
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET P CH 60V 10A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
15652 Pieces
Datenblatt:
STP10P6F6.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:DeepGATE™, STripFET™ VI
Rds On (Max) @ Id, Vgs:160 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max):30W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-13440
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STP10P6F6
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:340pF @ 48V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:6.4nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 60V 10A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
Beschreibung:MOSFET P CH 60V 10A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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