STP110N8F7
STP110N8F7
Artikelnummer:
STP110N8F7
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14593 Pieces
Datenblatt:
1.STP110N8F7.pdf2.STP110N8F7.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max):170W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-16486-5
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STP110N8F7
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3435pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:46.8nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 80V 80A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
Beschreibung:MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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