Kaufen STP200N6F3 mit BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
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Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
Serie: | STripFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.9 mOhm @ 60A, 10V |
Verlustleistung (max): | 330W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
Andere Namen: | 497-9096-5 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer: | STP200N6F3 |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6800pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Expanded Beschreibung: | N-Channel 60V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |