STP2NK100Z
STP2NK100Z
Artikelnummer:
STP2NK100Z
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
14509 Pieces
Datenblatt:
STP2NK100Z.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:SuperMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Verlustleistung (max):70W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-7518-5
STP2NK100Z-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:18 Weeks
Hersteller-Teilenummer:STP2NK100Z
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:499pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 1000V (1kV) 1.85A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):1000V (1kV)
Beschreibung:MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.85A (Tc)
Email:[email protected]

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