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STP33N65M2
- Artikelnummer:
- STP33N65M2
- Hersteller:
- ST
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 24A TO220
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12628 Pieces
- Datenblatt:
- STP33N65M2.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für STP33N65M2, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für STP33N65M2 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220 |
| Serie: | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 140 mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 190W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | 497-15560-5 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | STP33N65M2 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1790pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 41.5nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 650V 24A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 24A TO220 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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