STP35N65M5
STP35N65M5
Artikelnummer:
STP35N65M5
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 27A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16676 Pieces
Datenblatt:
STP35N65M5.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:MDmesh™ V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:98 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max):160W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-10080-5
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STP35N65M5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3750pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:83nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 650V 27A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
Beschreibung:MOSFET N-CH 650V 27A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

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