STP4NB80
STP4NB80
Artikelnummer:
STP4NB80
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
verfügbare Anzahl:
16545 Pieces
Datenblatt:
STP4NB80.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220AB
Serie:PowerMESH™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.3 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max):100W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-2781-5
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STP4NB80
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 800V 4A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
Beschreibung:MOSFET N-CH 800V 4A TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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