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STP5N60M2
STP5N60M2
Artikelnummer:
STP5N60M2
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17895 Pieces
Datenblatt:
STP5N60M2.pdf
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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 1.85A, 10V
Verlustleistung (max):45W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-14282-5
STP5N60M2-ND
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STP5N60M2
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:165pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:4.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 600V 3.7A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.7A (Tc)
Email:[email protected]

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