STP8N80K5
STP8N80K5
Artikelnummer:
STP8N80K5
Hersteller:
ST
Beschreibung:
MOSFET N CH 800V 6A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
18817 Pieces
Datenblatt:
STP8N80K5.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 100µA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:SuperMESH5™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:950 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max):110W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Andere Namen:497-13655-5
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:STP8N80K5
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:450pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16.5nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 800V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):800V
Beschreibung:MOSFET N CH 800V 6A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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