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STW70N60M2-4
- Artikelnummer:
- STW70N60M2-4
- Hersteller:
- ST
- Beschreibung:
- POWER MOSFET
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 14966 Pieces
- Datenblatt:
- STW70N60M2-4.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für STW70N60M2-4, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für STW70N60M2-4 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 34A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 450W (Tc) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 22 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | STW70N60M2-4 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5200pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 600V 68A (Tc) 450W (Tc) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| Beschreibung: | POWER MOSFET |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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