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TP2510N8-G
TP2510N8-G
Artikelnummer:
TP2510N8-G
Hersteller:
Micrel / Microchip Technology
Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17539 Pieces
Datenblatt:
TP2510N8-G.pdf
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Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-243AA (SOT-89)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.5 Ohm @ 750mA, 10V
Verlustleistung (max):1.6W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:TO-243AA
Andere Namen:TP2510N8-G-ND
TP2510N8-GTR
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Hersteller-Teilenummer:TP2510N8-G
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:125pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
Typ FET:P-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:P-Channel 100V 480mA (Tj) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
Beschreibung:MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:480mA (Tj)
Email:[email protected]

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