TPD3215M
TPD3215M
Artikelnummer:
TPD3215M
Hersteller:
Transphorm
Beschreibung:
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16332 Pieces
Datenblatt:
TPD3215M.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:-
Supplier Device-Gehäuse:Module
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:34 mOhm @ 30A, 8V
Leistung - max:470W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Module
Andere Namen:TPH3215M
TPH3215M-ND
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Hersteller-Teilenummer:TPD3215M
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2260pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 8V
Typ FET:GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
FET-Merkmal:Standard
Expanded Beschreibung:Mosfet Array GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module
Drain-Source-Spannung (Vdss):600V
Beschreibung:CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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