TPH3208LS
TPH3208LS
Artikelnummer:
TPH3208LS
Hersteller:
Transphorm
Beschreibung:
GAN FET 650V 20A PQFN88
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
17565 Pieces
Datenblatt:
TPH3208LS.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 300µA
Vgs (Max):±18V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:PQFN (8x8)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 13A, 8V
Verlustleistung (max):96W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:3-PowerDFN
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:10 Weeks
Hersteller-Teilenummer:TPH3208LS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 8V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):-
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
Beschreibung:GAN FET 650V 20A PQFN88
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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