TPH3208PS
TPH3208PS
Artikelnummer:
TPH3208PS
Hersteller:
Transphorm
Beschreibung:
GAN FET 650V 20A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
19150 Pieces
Datenblatt:
TPH3208PS.pdf

Einführung

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Spezifikation

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 300µA
Vgs (Max):±18V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:TO-220
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 13A, 8V
Verlustleistung (max):96W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-220-3
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Hersteller-Teilenummer:TPH3208PS
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 8V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Expanded Beschreibung:N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):-
Drain-Source-Spannung (Vdss):650V
Beschreibung:GAN FET 650V 20A TO220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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