1N3595US
1N3595US
Artikelnummer:
1N3595US
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 4A B-MELF
Bleifreier Status / RoHS Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
verfügbare Anzahl:
19163 Pieces
Datenblatt:
1N3595US.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1V @ 200mA
Spannung - Sperr (Vr) (max):-
Supplier Device-Gehäuse:B, SQ-MELF
Geschwindigkeit:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):3µs
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SQ-MELF, B
Betriebstemperatur - Anschluss:-65°C ~ 150°C
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:8 Weeks
Hersteller-Teilenummer:1N3595US
Expanded Beschreibung:Diode Standard 4A (DC) Surface Mount B, SQ-MELF
Diodentyp:Standard
Beschreibung:DIODE GEN PURP 4A B-MELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:1nA @ 125V
Strom - Richt (Io):4A (DC)
Kapazität @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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