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1N3766R
- Artikelnummer:
- 1N3766R
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 18985 Pieces
- Datenblatt:
- 1.1N3766R.pdf2.1N3766R.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 1N3766R, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 1N3766R per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.2V @ 35A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 800V |
| Supplier Device-Gehäuse: | DO-5 |
| Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Andere Namen: | 1N3766RGN |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -65°C ~ 190°C |
| Befestigungsart: | Chassis, Stud Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | 1N3766R |
| Expanded Beschreibung: | Diode Standard, Reverse Polarity 800V 35A Chassis, Stud Mount DO-5 |
| Diodentyp: | Standard, Reverse Polarity |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 10µA @ 50V |
| Strom - Richt (Io): | 35A |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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