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1N5618US
- Artikelnummer:
- 1N5618US
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 16936 Pieces
- Datenblatt:
- 1N5618US.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 1N5618US, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 1N5618US per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.3V @ 3A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse: | D-5A |
| Geschwindigkeit: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 2µs |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SQ-MELF, A |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -65°C ~ 200°C |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | 1N5618US |
| Expanded Beschreibung: | Diode Standard 600V 1A Surface Mount D-5A |
| Diodentyp: | Standard |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 500nA @ 600V |
| Strom - Richt (Io): | 1A |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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