1N6625E3
1N6625E3
Artikelnummer:
1N6625E3
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16189 Pieces
Datenblatt:
1N6625E3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If:1.95V @ 1.5A
Spannung - Sperr (Vr) (max):1100V (1.1kV)
Supplier Device-Gehäuse:A, Axial
Geschwindigkeit:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Rückwärts-Erholzeit (Trr):80ns
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:A, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss:-65°C ~ 150°C
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer:1N6625E3
Expanded Beschreibung:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1A Through Hole A, Axial
Diodentyp:Standard
Beschreibung:DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL
Strom - Sperrleckstrom @ Vr:1µA @ 1000V
Strom - Richt (Io):1A
Kapazität @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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