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Kaufen mit Garantie
1N8026-GA
- Artikelnummer:
- 1N8026-GA
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 15844 Pieces
- Datenblatt:
- 1N8026-GA.pdf
Einführung
BYCHIPS ist der Strumpfhändler für 1N8026-GA, wir haben die Lagerbestände zum sofortigen Versand und auch zur Langzeitversorgung. Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für 1N8026-GA per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Spezifikation
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.6V @ 2.5A |
|---|---|
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 1200V (1.2kV) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-257 |
| Geschwindigkeit: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 0ns |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-257-3 |
| Andere Namen: | 1242-1113 1N8026GA |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -55°C ~ 250°C |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | 1N8026-GA |
| Expanded Beschreibung: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A (DC) Through Hole TO-257 |
| Diodentyp: | Silicon Carbide Schottky |
| Beschreibung: | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 10µA @ 1200V |
| Strom - Richt (Io): | 8A (DC) |
| Kapazität @ Vr, F: | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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